像素尺寸：是指成像有效区域长度与像素数之比，或表示为相邻像素的中心距离。A、分辨率：两个相邻细节间**小距离的分辨能力。B、系统分辨率：在无被检工件的情况下，当透照几何放大倍数接近于1时，检测系统所能分辨的单位长度上两个相邻细节间**小距离的能力。反映了检测系统本身的特性，也称为系统基本空间分辨率。C、图像分辨率：检测系统所能分辨的被检工件图像中单位长度上两个相邻细节间**小距离的能力，也被称为空间分辨率。D、极限分辨率：在无物理（几何）放大的条件下，检测系统的最大分辨率。像素尺寸太小，会增加图像噪声；像素尺寸太大，会降低图像分辨率。所以在选择探测器像素尺寸时要根据具体的检测需求选择，不能过分追求小像素尺寸的探测器。 密度分辨率高、获取更多影像细节是数字化X线影像(DR)优于普通放射影像**重要的特点。济南智能平板探测器应用范围

    间接转换平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)或电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice,CCD)或互补型金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)构成。间接转换平板探测器的工作过程一般分为两步，首先闪烁晶体涂层将X线的能量转换成可见光；其次TFT或者CCD,或CMOS将可见光转换成电信号。由于在这过程中可见光会发生散射，对空间分辨率产生一定的影响。虽然新工艺中将闪烁体加工成柱状以提高对X线的利用及降低散射，但散射光对空间分辨率的影响不能完全消除。深圳静态平板探测器厂家DR是目前全球主流X线影像设备，广泛应用于医院内科、外科、骨科、创伤科、急诊科、体检科等科室。

    非晶硅、IGZO、CMOS、柔性基板、非晶硒等五种技术适合于不同的应用场景：1）非晶硅探测器，因具有出色的成本优势，短时间内仍会是平板探测器的主流技术平台。2）IGZO探测器，因采集时间短，信噪比高等特点，在动态平板上有很大优势。未来随着技术更趋成熟，IGZO***替代非晶硅(至少在动态平板领域)，应该是大势所趋。3）CMOS探测器，虽然主要应用在中小尺寸动态成像领域，但因其高分辨率、高帧速率和低剂量性能，在牙科、乳腺、外科及介入等场合，CMOS平板也是主流技术平台。4）柔性基板探测器，具有超窄边框、轻便、抗冲撞、不易破损等特点。不过目前成本较高，随着工艺不断改善，未来在部分特殊应用场景将取代传统的非晶硅探测器。5）非晶硒探测器，因为更高的性能和成本，非晶硒在很长时间内仍会继续“统治”中**乳腺机，直到光子计数探测器普及。

    数字化X线探测器有多重分类。按照传感器阵列形状的不同，可分为平板探测器和线阵探测器。按照光子信号的转换方式的不同，可分为积分式探测器和单光子计数式探测器。此外，光学传感面板一般都由光电转化层和TFT阵列开关等寻址电路组成，按照这两部分的组成材料，可分为：非晶硅探测器、CMOS/单晶硅探测器、IGZO探测器、非晶硒探测器和CdTe/CZT（碲化镉/碲锌镉）探测器等。非晶硅、IGZO、CMOS和柔性基板四大传感器技术均有其特定的终端应用场景。但非晶硅是目前**主流的X线探测器传感器技术，具有大面积、工艺成熟稳定、普通放射的能谱范围响应好、材料稳定可靠、环境适应性好等特点，可同时满足静态和动态探测器的需求。全球主流医学影像**设备厂商如GE医疗、飞利浦、西门子等的主要产品均采用此技术。 窗宽（window width）表示所显示信号强度值的范围。

    非晶硒(a-Se)为直接式平板探测器结构，主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成。集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管(TFT)组成。非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方通过真空蒸镀生成约、38mm×45mm见方的薄膜，它对X线很敏感，并有很高的图像解析能力。顶层电极接高压电源，当有X线入射时，由于高压电源在非晶硒表面形成的电场，它们只能沿电场方向垂直穿过绝缘层、X射线半导体、电子封闭层，到达非晶硒，不会出现横向偏离从而出现光的散射。非晶硒阵列直接将X射线转变成电信号，记忆在存储电容器里，脉冲控制门电路使薄膜晶体管导通，把记忆在存储电容器里的电荷送达电荷放大器输出，完成光电信号的转换，再经数字转换器转换，形成数字图像输入计算机，并由计算机将该影像还原在监视器上由医生观察监视器直接诊断。拍摄数字化X线影像(DR)要比普通影像辐射量减少30％--70％。上海医疗平板探测器技术参数

AED是自动感应曝光技术，该技术可以让平板探测器自动探测X射线，自动进入曝光窗口，把图像输出至计算机。济南智能平板探测器应用范围

    灵敏度：探测器输出可检测信号时所需要的**少输入信号强度。非晶硅探测器的灵敏度由四个方面的因素决定：X射线吸收率，X射线－可见光转换系数，填充系数和光电二极管可见光－电子转换系数。通常用X射线灵敏度S表示。如可标注某探测器X射线灵敏度S为：S～1000e-/nGy/pelDN-5Beam。表示该探测器在标准DN-5X射线下每nGy在单个像素上产生的电荷数为1000个。由于X射线灵敏度S与线质有关通常同时给出线质标准如：DN-5Beam。探测器灵敏度精度越高越好，好的探测器灵敏度能达到1个光子。 济南智能平板探测器应用范围

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